DDR3和DDR3L内存对比， 最近在网上买笔记本内存，发现笔记本DDR3内存有两种，一种是标准DDR3内存，一种是DDR3L内存。DDR3L到底是什么意思？先介绍一下DDR3L的含义，以及DDR3和DDR3L内存的区别。
DDR3和DDR3L内存对比
DDR3L是什么意思？
大家都很熟悉DDR3，可以说是第三代DDR3内存的代号。还有为什么这里要在DDR3后面加一个字母“L”？这是什么意思？
其实这里后面的“L”是Low Voltage的缩写，DDR3L的全称是DDR3 Low Voltage，也就是DDR3的低压版。与普通标准版DDR3内存相比，其工作电压更低，功耗更低，但性能略低。
一般DDR3L低压内存条主要用于笔记本、服务器等设备。普通台式电脑很少用这种低压内存条。
DDR3L是什么意思？DDR3和DDR3L有什么区别？
DDR3和DDR3L内存有什么区别？
DDR3L内存的出现主要是用在一些小功率的设备上。比如为了尽可能的提高笔记本的续航，可以选择这种低压版的DDR3L内存。简单来说，DDR3和DDR3L的区别主要体现在功耗和性能上。
1.功耗差异
标准DDR3内存使用1.5V工作电压，DDR3L内存使用1.35V工作电压。
比如一个4G的DDR3L 1600笔记本内存相比DDR3会节省2W功耗，如果形成双通道会节省4W功耗。
2、性能差异
DDR3L内存相比DDR3标准内存功耗低15%，自然会导致性能下降。通过测试，DDR3L内存的性能低于DDR3内存，但两者相差不大。
3.价差
DDR3L内存通常比DDR3标准内存便宜。详情可以网上搜。
至于这篇文章，相信你已经基本明白了DDR3L是什么意思，以及DDR3低压内存和普通标准版DDR3内存的区别。如果你还有其他问题，可以在下面的评论里和你讨论。
关于DDR内存
DDR内存的全称是DDR SDRAM(双倍数据速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是三星在1996年提出的。这是一个由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星和现代等八家公司同意的内存规范，并得到AMD、VIA和SiS等主要芯片组制造商的支持。它是SDRAM的升级版，所以也被称为“SDRAM II”。
简介
DDR是现在主流的内存规格，各大芯片组厂商的主流产品都支持。DDR的全称是DDR SDRAM(双倍数据速率SDRAM)。DDR的标称频率与SDRAM相同。目前DDR工作频率有三种：100MHz，133MHz，166MHz。由于DDR内存具有双倍速率数据传输的特性，所以在识别DDR内存时采用了工作频率 2的方法，即DDR200、DDR266、DDR333、DDR400。为了满足发烧友的需求，一些内存厂商也推出了更高频率的DDR内存。最重要的变化是在接口数据传输上，它可以在时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据处理，这样数据传输速率是SDR(单数据速率)SDRAM的两倍。至于寻址和控制信号，和SDRAM一样，只在时钟的上升沿传输。
操作原理
与SDRAM模块相比，DDR模块改为4 ~ 6层184针印刷电路板，电气接口由“LVTTL”改为“SSTL2”。其他组件或封装与SDRAM模块相同。SDRAM模块有184个引脚，只有一个插槽，与SDRAM模块不兼容。DDR SDRAM在命名原则上也不同于SDRAM。SDRAM是根据时钟频率来命名的，比如PC100和PC133。而DDR SDRAM则是根据数据传输量来命名的，比如PC1600、PC2100，以MB/s为单位。所以DDR SDRAM中的DDR200其实和PC1600是同一个规格，数据传输能力是1600 MB/s(64 bit100 MHz28=1600 Mbytes/s)，而DDR266和PC2100是一样的(64 bit 133 MHz 2 8=2100)
DDR SDRAM是以信号延迟时间(CL；CAS延迟CL指的是存储器在接收到信号后读取之前必须等待的系统时钟周期数。一般来说越短越好，但是要看记忆粒子的原始设定值，否则会造成系统不稳定。根据电子工程设计与开发联合协会(JEDEC)的定义(规范编号为JESD 79)，DDR SDRAM有两个CAS延迟，分别是2ns和2.5ns(ns是十亿分之一秒)。速度较快的CL=2加PC 2100 DDR SDRAM称为DDR 266A，速度较慢的CL=2.5加PC 2100 DDR SDRAM称为DDR 266B。另外，速度较慢的PC1600 DDR SDRAM在这方面没有特别的编号。
时钟频率
它代表了内存可以稳定运行的最大频率。现在市面上看到的DDR内存主要是DDR533，DDR667，DDR800。DDR1333
存取时间
存取时间代表读取数据的延迟。以前有个误解，认为跟系统时钟频率有关。其实两者在本质上是有显著区别的，可以说是完全不同的两回事。访问时间与时钟周期相同，越小越好。
CAS延迟时间
这是指垂直寻址脉冲的响应时间，也是衡量某一频率下支持不同规格的存储器的重要标志之一。我们使用CAS潜伏期(CL)指标来衡量它。这里需要提醒近期想买电脑的读者，英特尔的处理器对延迟时间相对不敏感，影响英特尔处理器性能的主要因素是内存的时钟频率。对于AMD处理器来说，影响它的主要因素是CAS延迟，所以AMD平台的读者更应该关注这个参数。
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