CMOS里有很多关于内存的设置，但是很多选项都很专业。因此，如果设置后出现问题，请选择“加载BIOS默认值”来恢复可靠的设置参数。下面逐一介绍相关的内存设置。
1MB以上内存测试：设置开机自检期间是否检测超过1M的内存。这个选项在新的BIOS中被取消了。随着内存价格暴跌，电脑用户的装机内存容量突然增大，开机时大容量内存自检时间过长。将来，即使再次检查内存，也可能会出现启用/禁用开关。
自动配置：当设置为允许时，BIOS被设置在最佳状态。BIOS可以自动设置内存计时，因此禁止对内存设置进行某些修改。建议选择允许的模式。
内存测试滴答声：内存自检是否滴答声。如果你觉得无聊，你可以把它们关掉。
内存奇偶校验错误检查：设置是否设置内存奇偶校验。在使用30线以上内存条的时代，已经被淘汰。但是，在非奇偶校验内存上强制设置奇偶校验将会阻止计算机启动。
内存控制器：是否使用缓存。不用于热门奖项BIOS。
Shadow RAM选项：设置是将系统BIOS还是显卡BIOS映射到常规内存中。它可以加速，但也可能导致崩溃。
内部缓存内存：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。
外部缓存：是否使用CPU外部缓存(主板上的L2缓存)。可以提高系统性能。AMD新的两级缓存CPU的出现，让主板上的二级缓存退到了三级缓存。
并发刷新：直译是同时刷新。设置CPU在其他I/O操作期间同时刷新内存可以提高系统性能。
DRAM读取等待状态：设置CPU从内存读取数据时的等待时钟周期。当内存比CPU慢时，您可以设置更多等待时间。
写DRAM写等待状态：设置CPU向内存写数据的等待时钟周期。当内存比CPU慢时，您可以设置更多等待时间。
慢刷新：对于高质量的内存，可以长时间保存数据，可以设置更长的时间段，从而提高系统性能。
Shadow Cachecable:增加映射到常规内存的BIOS ROM的缓存，进一步提高性能。
页面模式：使存储器工作在页面模式或页面交错模式。
RAS超时计数器：使页面模式或页面交错模式工作得更快。因为可能超过存储器RAS周期，所以使用计数器来监控RAS周期。一旦超过RAS周期，周期将自动重置为0。
内存重定位：内存重定位。也就是将384的上层内存块的数据转储到1MB以上的扩展内存中。
记忆洞：有人称之为记忆洞。15MB-16MB的内存地址区是为一些特殊的ISA扩展卡预留的，可以加快卡的工作速度或者避免冲突。一般设置为禁止，除非ISA扩展卡有特殊说明。
DRMA定时设置：快速页存储器或EDO存储器的速度设置，通常为60ns或70ns，对于10ns或更快的SDRAM存储器无效。
快速MA到RAS延迟：设置存储器地址和存储器行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。
写dram刷时序：CPU将数据写入缓存后再写入内存的延迟时间。
快速RAS到CAS延迟：行地址触发信号和列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降和CAS#下降之间的时间。
DRAM引导时序：CPU读/写内存之前的时间。
DRAM推测读取：当设置为允许时，读取内存的时间比正常时间提前一个时间段，这可以提高系统性能。
DRAM数据完整性模式：选择奇偶校验或ECC作为内存验证方法。
刷新RAS置位：设置存储器行地址的刷新时间段，可以优质的延迟存储器的刷新，从而提高系统性能。
RAS再充电周期：存储器行地址信号被预充电所需的时间。
快速EDO路径选择：设置一种快速的方式来选择对EDO存储器的读/写可以提高系统性能。
SDRAM延迟：设置SDRAM存储器从行地址触发到列地址触发的时间延迟。
SDRAM定时：由系统设置SDRAM存储器行地址的触发时间，即刷新时间。
对等并发：为了提高系统并行性，CPU操作缓存或内存或PCI设备，或者PCI主信号同时操作PCI外围设备。系统的智能化程度越高，与CPU的并行操作越多，性能提升越多。
